台积电首席执行官刘德音在ISSCC2021国际固态电路会议上宣布了公司最新的工艺进展,指出3 nm工艺已超出预期,并将提前进行。

不过,刘德音并未宣布3 nm技术如何领先。据报道,今年下半年3 nm工艺将进行试生产,2022年正式量产。

和三星公司在3 nm节点采用 GAA绕栅晶体管工艺不同,台积电的第一代3 nm工艺保守,仍采用 FinFET晶体管工艺。

台积电3 nm工艺比5 nm工艺的晶体管密度提高70%,速度提高11%,或功耗降低27%。

不管是5 nm工艺还是3 nm工艺,甚至是2 nm工艺,台积电已经证明了 EUV光刻机的重要性,但是产能问题依然困扰着 EUV光刻机,而且能耗很高。

刘德音提到,台积电在 EUV光源技术上取得了突破,功率可达350 W,不仅支持5 nm工艺,将来还可以在1 nm工艺中使用。

按照台积电提出的路线图,他们认为半导体技术将继续遵循摩尔定律,新一代的技术将在两年内升级,十年内就会出现重大升级。

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